| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PSMN8R0-30YL,115 |
SC-100，SOT-669，4-LFPAK | NXP Semiconductors | 3168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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PSMN8R0-30YL,115参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK 包装数量：1500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：62A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1005pF @ 15V 功率 - 最大值：56W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeFSM43DSEH Card EdgeFSM43DSEH-S243 Card EdgeRSM06DSEI-S243 Card EdgeGMC17DRAS 存储器IDT71421LA35J8 芯片电阻 - 表面RT0402BRE072K74L 圆形CA3106E20-8PB01 PMIC - 稳压LT1575CN8-3.3 陶瓷电容器C961U392MZWDAAWL40 矩形- 接头，公引NREC014SAEN-RC |
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